IEC 62374-2007 半导体器件.栅极介电薄膜用时间相关的电介质击穿(TDDB)试验

作者:标准资料网 时间:2024-05-20 21:01:03  浏览:8209   来源:标准资料网

【英文标准名称】:Semiconductordevices-Timedependentdielectricbreakdown(TDDB)testforgatedielectricfilms
【原文标准名称】:半导体器件.栅极介电薄膜用时间相关的电介质击穿(TDDB)试验
【标准号】:IEC62374-2007
【标准状态】:现行
【国别】:国际
【发布日期】:2007-03
【实施或试行日期】:
【发布单位】:国际电工委员会(IX-IEC)
【起草单位】:IEC/TC47
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:元件;定义;电介质;电气工程;电子设备及元件;外壳;栅极;热室;寿命;半导体器件;应力;试验;试验装置;时间依赖的;电压;电压应力
【英文主题词】:Breakdown;Checkingequipment;Components;Definitions;Dielectric;Electricalengineering;Electronicequipmentandcomponents;Enclosures;Failure;Gates;Heatingchamber;Life(durability);Measuringtechniques;Semiconductordevices;Stress;Testing;Testingdevices;Time-dependent;Voltage;Voltagestress
【摘要】:ThisInternationalStandardprovidesatestmethodofTimeDependentDielectricBreakdown(TDDB)forgatedielectricfilmsonsemiconductordevicesandaproductlifetimeestimationmethodofTDDBfailure.
【中国标准分类号】:L40
【国际标准分类号】:31_080_01
【页数】:43P;A4
【正文语种】:英语